连续提拉法(CCZ Process)的发展和数值仿真技术

       2015年3月15日，在中国国际半导体技术大会的Si Materials and Photovoltaic Technology（硅材料和光伏技术）分会场内，上海大学吴亮教授的报告CCZ Process（连续提拉法晶体生长）引起了广泛的关注和热议。

       吴教授向各位与会者介绍了CCZ的发展历程以及近几年CCZ工艺所取得的突破。连续提拉法晶体生长是一项复杂而具有市场潜力的技术。传统的提拉法晶体生长，由于坩埚内熔体液面下降，导致坩埚内壁裸露，因坩埚内壁的温度很高，因而对晶体、熔体中的温度场影响很大；而连续提拉法晶体生长能够很好地解决这一问 题。同时，相比于传统的提拉法，CCZ连续加料技术将有效降低生产单晶硅晶圆的成本。

       工业使用者梦想通过CCZ晶体生长法得到超高电阻率的硅片，高电阻率或者超高电阻率的硅晶圆，在晶圆厚度方向电阻率具有良好的均匀性，同时沿轴向和径向的电阻率梯度也具有一定均匀性，且在整个器件加工时具备稳定性。

       然而，晶体生长技术推向工业生产之前都会进行无数次的设计测试和实验，为此付出的成本是无法估量的。吴教授的团队，采用FEMAG软件的CCZ数值模拟技术，根据指定的工艺条件、掺杂数量和掺杂种类，成功的模拟了CCZ晶体生长的热场、流场和掺杂的分布情况。

        FEMAG软件不仅能够帮助工程师了解CCZ工艺的质量、设计出能够达到最佳电阻率均匀性的工艺工程，还能够极大的降低高昂的重复性实验成本。在半导体、光伏行业市场竞争越来越激烈的今天，掌握核心技术、降低生产成本，企业才能打破国外的技术封锁，具备核心竞争力。